对高速、高温和高功率处理能力的日益增长的需求使半导体工业重新考虑了半导体材料的选择。例如，随着各种更快、更小的计算设备的出现，硅的使用使得维持摩尔定律变得困难。但在电力电子技术中，硅的性能已不足以进一步提高转换效率。

　　氮化镓(GaN)由于其独特的特性(高最大电流、高击穿电压和高开关频率)，是解决未来能源问题的独特材料。基于氮化镓的系统具有更高的功率效率，从而减少了功率损耗，在更高的频率切换，从而减少了尺寸和重量。

　　在工业、消费和服务器电源、太阳能、交流驱动和UPS逆变器、混合动力和电动汽车等许多高功率应用中，都使用了GaN技术。此外，氮化镓具有高击穿强度、低噪声系数和高线性度，非常适合在网络、航空航天和国防部门的蜂窝基站、雷达和有线电视基础设施等射频应用。

　　聚力成在Si上制造GaN，在SiC外延晶圆材料上制造GaN，并向集成器件制造商提供这些材料，以创造高性能功率和射频器件。